Sciencemag.cz
Doporučujeme
Spintronika v antiferomagnetických materiálech nabízí potenciálně vysokou hustotu uložených dat, dosud ale nebylo jasné, zda jde spiny elektronů v těchto materiálech ovládat i prostřednictvím vnějšího elektrického pole – tj. data zapisovat.
Vědecký tým z Johannes Gutenberg University Mainz (Mohuč) a Tohoku University (Sendai, Japonsko) nyní nejen předvedl samotnou techniku, ale také měření efektivity zápisu do izolačních antiferomagnetických materiálů pomocí elektrického pole. Experimenty byly konkrétně provedeny s oxidem kobaltnatým CoO. Ukázalo se, že ovládání spinů elektrickým proudem je naopak mnohem účinnější než při použití vnějšího magnetického pole. Antiferomagnetické látky mají mít oproti feromagnetickým ve spintronice řadu výhod, zápis i čtení informace může být rychlejší. V některých aplikacích typu čipových karet informaci v antiferiomagnetickém materiálu navíc nepůjde vymazat vnějším magnetickým polem, ani celkem silným.
Antiferomagnetické látky mají spiny sousedních částic orientovány protiběžně. Patří sem např. oxidy přechodných kovů. Většina látek je ale antiferomagnetická pouze za nízkých teplot a od určité hranice se stávají paramegnetickými (tj. k uspořádání spinů je potřeba vnější magnetické pole).
Baldrati et al., Efficient Spin Torques in Antiferromagnetic CoO/Pt Quantified by Comparing Field- and Current-Induced Switching, Physical Review Letters (2020). DOI: 10.1103/PhysRevLett.125.077201
Zdroj: Universitaet Mainz / Phys.org
Poznámka PH: Podle všeho zase o takovou novinku ale nejde, protože podobné výsledky byly oznámeny již před pár lety na Fyzikálním ústavu AV ČR
Viz také: Antiferomagnetické materiály mění způsob ukládání dat
Nový způsob zápisu informací může v budoucnu zrychlit práci počítačů, protože pro záznam stačí extrémně krátké – pikosekundové – elektrické výboje, což je tisíckrát kratší doba než v dnes používaných feromagnetických součástkách. Přečtení informace je také relativně snadné, protože se při zápisu mění elektrický odpor materiálu.
Data lze ukládat i pomocí antiferomagnetů
Fyzikální hranice rychlosti je 100–1000x větší než ve feromagnetech… Navíc antiferomagnety neprodukují vlastní magnetické pole, čímž se eliminuje nekontrolované vzájemné ovlivnění sousedních paměťových prvků.
