Archiv článků: paměti

Alternativní koncept magnetické paměti

Dalším významným badatelským úspěchem, jenž posouvá hranice možností moderních informačních technologií, na sebe opět upozornilo oddělení spintroniky a nanoelektroniky Fyzikálního ústavu Akademie věd ČR. V rámci dlouhodobé mezinárodní spolupráce vědců z tohoto pracoviště a z univerzit v Cambridge a Nottinghamu ve Velké Británii byl objeven nový mechanismus, který umožňuje elektricky …

více »

Feroeletrické a magnetické současně

Skupina S. Kamby z Fyzikálního ústavu Akademie věd ČR společně s řadou amerických spolupracovníků teoreticky navrhla a také experimentálně využila mechanického napětí ve velmi tenkých vrstvách EuTiO3 k umělé přípravě feroelektrika, které je zároveň silným umělým magnetem. V současné době se k digitálnímu záznamu dat používají CD či hard disky, …

více »

Současně feroelektrické i magnetické materiály pro paměti RAM

Skupina S. Kamby z Fyzikálního ústavu Akademie věd ČR společně s řadou amerických spolupracovníků teoreticky navrhla a také experimentálně využila mechanického napětí ve velmi tenkých vrstvách EuTiO3 k umělé přípravě feroelektrika, které je zároveň silným umělým magnetem. V současné době se k digitálnímu záznamu dat používají CD či hard disky, …

více »

Magnetická anizotropie a ukládání dat na úrovni atomů

Společnost IBM oznámila dosažení dvou zásadních vědeckých objevů na poli nanotechnologie. Ty by v budoucnu mohly umožnit výstavbu nových zařízení a struktur budovaných z pouhých několika atomů nebo molekul. Ačkoli pro využití těchto objevů v konkrétních produktech bude třeba urazit ještě dlouhou cestu, již dnes tyto novinky umožní vědcům z …

více »

Používáme soubory cookies pro přizpůsobení obsahu webu a sledování návštěvnosti. Data o používání webu sdílíme s našimi partnery pro cílení reklamy a analýzu návštěvnosti. Více informací

The cookie settings on this website are set to "allow cookies" to give you the best browsing experience possible. If you continue to use this website without changing your cookie settings or you click "Accept" below then you are consenting to this.

Close