Vyšší hodnota zakázaného pásu u grafenu by zlepšila vlastnosti grafenových tranzistorů. Vědcům z Purdue University, University of Michigan a Huazhong University of Science and Technology se nyní podařilo pomocí laseru upravit grafen tak, že v něm hodnota zakázaného pásu vzrostla na 2,1 elektronvoltů. V minulosti se již podařilo dosáhnout hodnoty …
více »Používáme soubory cookies pro přizpůsobení obsahu webu a sledování návštěvnosti. Data o používání webu sdílíme s našimi partnery pro cílení reklamy a analýzu návštěvnosti. Více informací
The cookie settings on this website are set to "allow cookies" to give you the best browsing experience possible. If you continue to use this website without changing your cookie settings or you click "Accept" below then you are consenting to this.
Sciencemag.cz
