Vyšší hodnota zakázaného pásu u grafenu by zlepšila vlastnosti grafenových tranzistorů. Vědcům z Purdue University, University of Michigan a Huazhong University of Science and Technology se nyní podařilo pomocí laseru upravit grafen tak, že v něm hodnota zakázaného pásu vzrostla na 2,1 elektronvoltů. V minulosti se již podařilo dosáhnout hodnoty …
více »