Archiv článků: tranzistor

Otevřeli cestu pro využití grafenových tranzistorů

Vyřešit jednu ze zásadních překážek pro užití nanografenu jako nástupce křemíkových součástek v elektronice se podařilo multioborovému mezinárodnímu týmu vědců s českou účastí. Článek popisující inovativní řešení povrchové úpravy grafenových nanopásků vyšel v časopise Nature Chemistry. Velikost tranzistorů v integrovaných obvodech se v posledních desetiletích zmenšila na nanometry, avšak další …

více »

Z uhlíkové nanotrubičky vytvořili jednovrstevný tranzistor

Vědci vytvořili malý tranzistor současným působením mechanické síly a nízkého napětí, které zahřívaly uhlíkovou nanotrubičku složenou z několika vrstev. Vnější vrstvy se přitom postupně oddělily a zůstala pouze jednovrstvá trubička. Jak uvedl spoluautor studie Dmitri Golberg z Queensland University of Technology, teplo a napětí změnily vzor („chiralitu“), jímž byly atomy …

více »

Sestrojili poloviční sčítačku z magnonů, stačily tři drátky

Výzkumníkům se podařilo fyzicky zkonstruovat logický obvod fungující jako poloviční sčítačka (half adder). Funguje ovšem na bázi nikoliv hradel z tranzistorů, ale magnonů. Úspěchu dosáhl tým z Technische Universität Kaiserslautern (TUK) a University of Vienna, výsledky byly publikovány v Nature Electronics. Magnony jsou kvazičástice, jakési vlny, které překlápějí spiny. Mohly …

více »

První topologický tranzistor při pokojové teplotě

Topologické izolátory jsou látky, které vedou proud pouze po svých okrajích, jinak fungují jako izolanty. Za jejich objev už byla udělena Nobelova cena. Topologický tranzistor pak znamená uspořádání, které lze účinkem vnějšího elektrického pole přepínat – z klasického izolantu na topologický. Právě to se nyní podařilo na australské Monash University; …

více »

Pátrání po supravodivém grafenu

Supravodivost grafenu na základě vůči sobě pootočených dvojvrstev je zase o krok blíž. Výzkumníci z německé Helmholtz Association publikovali v Science Advances studii navazující na letošní výzkum na MITu. Zde vědci přišli na to, že elektrické vlastnosti grafenu se výrazně změní, pokud na sebe položíme 2 vrstvy tohoto materiálu a …

více »

2D je moc, známe už i 1D materiály

nanotechnologie - atomová struktura, autor: Erwinrossen, licence obrázku public domain

Technologové z University of California v Riverside připravili drátek, v němž lze dosáhnout 50krát vyšší proudové hustoty než v mědi (obecně zde limit představuje hlavně to, že při zvyšování proudové hustoty se materiál začne přehřívat a vodivost klesá). Práce publikovaná v IEEE Electron Device Letters (hlavní autoři A. Balandin a …

více »

Grafen lze ovládat pomocí tlaku

Grafen má výjimečné vlastnosti, pro některé z aplikací je však nevýhodou malá šířka zakázaného pásu. Jak postupovat, potřebujeme-li polovodič? Pokusy grafen dotovat jinými prvky nás často zase připraví o jeho unikátní vlastnosti. Matthew Yankowitz a jeho kolegové z Columbia University tvrdí, že jednou z možností je změna tlaku. Grafen vložili …

více »

Tranzistor z polymeru lze ohýbat i natahovat

Nositelná a další ohebná elektronika funguje nejlépe v případě, že ohebné jsou i samotné tranzistory. Mezinárodní tým vědců nyní v časopisu Science publikoval studii o tranzistoru, který je nejen ohebný, ale dokonce ho lze s pouze minimální ztrátou vodivosti natáhnout až na dvojnásobek původní délky. Hlavním autorem studie byl Jie …

více »

Tranzistor určený přímo na kůži

Nositelná a další ohebná elektronika funguje nejlépe v případě, že ohebné jsou i samotné tranzistory. Mezinárodní tým vědců nyní v časopisu Science publikoval studii o tranzistoru, který je nejen ohebný, ale dokonce ho lze s pouze minimální ztrátou vodivosti natáhnout až na dvojnásobek původní délky. Hlavním autorem studie byl Jie …

více »

Samsung představil procesor Exynos 9 Series

Procesor vyrobený 10nm FinFET technologií je cestou k výkonnějším mobilním zařízením. Společnost Samsung Electronics, lídr v oblasti pokročilých polovodičových technologií, představila nejnovější prémiový aplikační procesor (AP), Exynos 9 Series 8895. Jedná se o první procesorový čipset, který je vytvořen nejpokročilejší 10 nanometrovou FinFET výrobní technologií se zdokonalenou 3D tranzistorovou strukturou. Díky tomu …

více »

Používáme soubory cookies pro přizpůsobení obsahu webu a sledování návštěvnosti. Data o používání webu sdílíme s našimi partnery pro cílení reklamy a analýzu návštěvnosti. Více informací

The cookie settings on this website are set to "allow cookies" to give you the best browsing experience possible. If you continue to use this website without changing your cookie settings or you click "Accept" below then you are consenting to this.

Close