Sciencemag.cz
Doporučujeme
Technologové z University of California v Riverside připravili drátek, v němž lze dosáhnout 50krát vyšší proudové hustoty než v mědi (obecně zde limit představuje hlavně to, že při zvyšování proudové hustoty se materiál začne přehřívat a vodivost klesá). Práce publikovaná v IEEE Electron Device Letters (hlavní autoři A. Balandin a A. Geremew) popisuje vlastnosti sloučeniny ZrTe3 (tellurid zirkonový), respektive analogických molekul. Krystaly tohoto typu mají mít v 1D podobě vlastnosti, které výrazně předčí kovové vodiče a dosahuje parametrů, jichž se doposud podařilo dosáhnout pouze v grafenu nebo v uhlíkových nanotrubičkách. S miniaturizací tranzistorů by tak mohlo držet krok i jejich napájení.
Otázkou samozřejmě zůstává syntéza 1D materiálů. Autoři výzkumu uvádějí, že jednou cestou je molekuly spojovat v kanálcích o průměru kolem nanometru. Druhou možností je pomocí nějaké další nanotechnologie skládat řetězec opravdu molekulu po molekule. Pro výrobu 1D materiálů v průmyslovém měřítku by bylo ideální, kdyby syntéza „drátku“ mohla probíhat přímo na čipu.
Zdroj: Phys.org
