Dvourozměrné tranzistory představují jednu z možností, jak ještě po nějakou dobu udržet v platnosti Moorův zákon. Elektronika založená na těchto zařízeních navíc slibuje snížení spotřeby energie.
Problémem ale zatím je, jak 2D polovodiče vyrábět v dostatečné kvalitě. Ultratenké filmy bývají plné kazů, mohou být také složeny z různých zrn téhož materiálů, hranice pak odrážejí nosiče náboje a v důsledku odporu dochází minimálně ke ztrátám energie, pokud ne přímo k problémům s funkčností.
Oblíbeným polovodičovým materiálem je sulfid molybdeničitý MoS2, i u něj však dosud byl problém získat tenké filmy v dostatečné kvalitě. Žádné používané technologie výroby MoS2 typu depozice na pevném substrátu dosud nevedly k materiálu v potřebné kvalitě, respektive k dostatečně velkým plochám.
Nový nápad chemiků z University of New South Wales nyní navrhuje přípravu sulfidu molybdeničitého na povrchu kapalného kovu. Využít lze gallium, které má teplotu tání pouze 30 °C. Roztavené gallium je pak na rozdíl od pevného substrátu hladké až po úroveň jednotlivých atomů. Výhodou rovněž je, že gallium obsahuje dostatek volných elektronů usnadňujících další chemické reakce. Na povrchu tekutého gallia lze proto provést přímo syntézu MoS2 z jednotlivých prvků.
Vznikne jednolitá plocha MoS2, bez kazů nebo hranic mezi zrny. Do finální podoby se pak materiál upravil žíháním. (Poznámka PH: Z průvodní tiskové zprávy není jasné, zda žíhání nějak upravilo povrch MoS2 seshora, nebo zda sloužilo k oddělení od substrátu.) Autoři výzkumu uvádějí, že tímto způsobem by se měly dát vytvářet i jiné materiály pro skládání 2D tranzistorů bez ohledu na jejich další vlastnosti, může jít kromě polovodičů i o izolanty.
Yifang Wang et al. Self‐Deposition of 2D Molybdenum Sulfides on Liquid Metals, Advanced Functional Materials (2020). DOI: 10.1002/adfm.202005866
Zdroj: University of New South Wales/Phys.org