Sciencemag.cz
Doporučujeme
Borofen, tedy 2D varianta boru, se dosud pěstuje především na kovových površích metodou epitaxe z molekulárních svazků – při kondenzaci látky z plynné fáze na příslušném substrátu, obvykle ve vakuu. Qiyuan Ruan, Boris Yakobson a jejich kolegové z Rice University nyní navrhují, že jako podklad by mohl sloužit i hexagonální nitrid boru (hBN); ten je totiž chemicky inertnější, takže s borofenem by vytvářel pouze slabé van der Waalsovy vazby. Borofen by pak mohl jít ze substrátu snadno oddělit (odloupnout) nebo pro další experimenty a aplikace (plazmonika, fotonika, pokusy o supravodivost…) používat i přímo přichycený na povrchu, který by tolik neovlivňoval jeho vlastnosti.
Zajímavé je, že hBN se strukturou velmi blíží grafitu/grafenu (obecně: BN je tzv. izoelektronový s uhlíkem), na těch ale borofen růst nechce, a to kvůli rozdílným hodnotám mřížkové energie, i když čistě geometricky jsou mřížky totožné (PH: BN je také elektrický izolant, takže ani jinak nemají obě látky totožné vlastnosti.)
Třeba však dodat, že vše výše uvedené o borofenu a nitridu boru je zatím pouze teorie, respektive výpočty/simulace, jejichž shodu s realitou bude ještě třeba experimentálně ověřit.
Qiyuan Ruan et al, Step-Edge Epitaxy for Borophene Growth on Insulators, ACS Nano (2021). DOI: 10.1021/acsnano.1c07589
Zdroj: Rice University / Phys.org
