Sciencemag.cz
Doporučujeme
Vyšší hodnota zakázaného pásu u grafenu by zlepšila vlastnosti grafenových tranzistorů. Vědcům z Purdue University, University of Michigan a Huazhong University of Science and Technology se nyní podařilo pomocí laseru upravit grafen tak, že v něm hodnota zakázaného pásu vzrostla na 2,1 elektronvoltů. V minulosti se již podařilo dosáhnout hodnoty 0,5 elektronvoltů, což už umožňuje použití, ale je to pořád trochu na hraně (pro srovnání, křemík má cca 1,1 eV, germanium 0,75 eV).
Přitom se nejedná o úpravu grafenu pomocí nějaké chemické modifikace/dopování dalším prvkem. Podle studie publikované v Advanced Materials se nejprve podařilo dosáhnout stavu, kdy šla šířka zakázaného pásu ladit, poté se ji na takto nastavené hodnotě podařilo i zafixovat. Použitou technikou byl otisk laserového šoku (laser shock imprinting), což je postup, který již dříve (r. 2014) vyvinul Gary Cheng z Purdue University. Vše má fungovat cca tak, že hodnota zakázaného pásu se nastavuje jako funkce výkonu použitého laseru. Uvádí se, že laser mění vodivost grafenu tím, že jeho list „tvaruje“. (to je míněno doslova, že laser způsobuje mechanickou deformaci – „trench-like mold“? Pravděpodobně ano, protože dále se uvádí, že hodnotu zakázaného pásu lze podobně ovlivnit i mechanickým namáháním, natahováním grafenu.)
Maithilee Motlag et al, Asymmetric 3D Elastic–Plastic Strain‐Modulated Electron Energy Structure in Monolayer Graphene by Laser Shocking, Advanced Materials (2019). DOI: 10.1002/adma.201900597
Zdroj: Eurekalert.org
