Sciencemag.cz
Doporučujeme
Připravit monoatomární vrstvu kovu je docela problém. Kovy jsou kompaktní, rozhodně je nelze vrstvu po vrstvě odlepovat třeba pomocí izolepy (grafen byl poprvé připraven cca takto). Gallium má navíc nízkou teplotu tání, takže se zatím nedařilo získat vrstvu ani usazováním – depozicí – par. Také se snadno oxiduje.
Vědci z Rice University a Indian Institute of Science (Bangalore) popsali svou novou metodu přípravy ve Science Advances; hlavními autory studie jsou Vidya Kochat a Atanu Samanta. Jejich gallenen vznikl z gallia zahřátého na teplotu tání (cca 30 stupňů), na sklíčko nechali odkápnout kapku kovu, k tomu pak přitlačili kousek oxidu křemičitého. Materiál ihned chladl a tuhl, takže se přilepila ne celá kapka, ale právě jen vrstva obsahující několik atomů. Gallenen může prý mimochodem existovat ve dvou formách, které se liší uspořádáním atomů ve 2D mřížce. Konkrétní forma vzniká podle toho, jak se přesně provede sloupnutí.
Gallenen by se měl dát snadno propojovat s křemíkem i dalšími polovodiči, a slibuje tak řadu aplikací v elektronice. Z oxidu křemičitého, na němž byl gallenen připraven, se dá vrstva přenést např. na nitrid nebo arsenid gallia, na křemík nebo nikl. V závislosti na substrátu má pak materiál různé elektrické vlastnosti. Možná by podobnou metodu šlo použít i pro přípravu 2D forem dalších kovů nebo sloučenin s nízkým bodem tání.
Zdroj: Phys.org
